کتابوں کی تلاش
کتاب
عطیہ کریں
سائن ان کریں
سائن ان کریں
مزید فیچرز تک رسائی حاصل کرنے کے لیے
پرسنل تجاویز
ٹیلیگرام بوٹ
ڈاؤن لوڈ کی تاریخ
ای میل یا Kindle پر بھیجیں
بک لسٹس کو مینج کریں
پسندیدہ میں محفوظ کریں
پرسنل
کتاب کی درخواستیں
دریافت
Z-Recommend
بُک لسٹ
سب سے مشہور
سب زمرہ
شراکت
عطیہ کریں
اپ لوڈ
Litera Library
کاغذی کتابیں عطیہ کریں۔
کاغذی کتابیں شامل کریں۔
Search paper books
میرا LITERA Point
اصطلاحات کی تلاش
Main
اصطلاحات کی تلاش
search
1
Рост Ge(Si) самоформирующихся наноотростков на подложках Si(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии
Лобанов Д.Н.
,
Новиков А.В.
,
Шалеев М.В.
роста
островков
поверхности
напряжений
упругих
пленки
энергии
происходит
рис
подложки
счет
островка
приводит
температуры
поверхностной
материала
островки
камеры
релаксация
релаксации
димеров
крастанова
механизму
странского
температурах
увеличение
образование
осаждения
системы
слоя
уменьшению
носителей
образования
параметров
пленке
результате
gexsi1
зависимости
заряда
самоформирующихся
структур
типа
увеличением
уменьшение
gesi
атомов
дивакансий
количества
островках
плотности
زبان:
russian
فائل:
PDF, 421 KB
آپ کے ٹیگز:
0
/
0
russian
2
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы
ЭБС Лань
Байдусь Н.В.
,
Звонков Б.Н.
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
سال:
2001
زبان:
russian
فائل:
PDF, 503 KB
آپ کے ٹیگز:
0
/
4.5
russian, 2001
3
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы
ЭБС Лань
Коллектив авторов
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
سال:
2001
زبان:
russian
فائل:
PDF, 503 KB
آپ کے ٹیگز:
0
/
5.0
russian, 2001
4
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Байдусь Н.В.
,
Звонков Б.Н.
слоя
роста
inas
островков
gaas
поверхности
энергии
гетероструктур
подложки
покровного
рис
массива
островка
поверхностной
квантовых
размера
квантовыми
слой
точек
энергию
точками
потоке
процессе
размер
т.е
температура
выращивания
дефектов
материала
методом
образования
образцы
размерам
росту
упругой
энергия
гетероструктурах
гетероструктуры
изменение
кластеров
легирования
механизму
мос
примесей
путем
самоорганизации
системы
слоев
температуре
формирования
سال:
2001
زبان:
russian
فائل:
PDF, 505 KB
آپ کے ٹیگز:
0
/
0
russian, 2001
1
اس لنک
کو کلک کریں یا Telegram پر "BotFather@" بوٹ تلاش کریں۔
2
/newbot کمانڈ بھیجیں۔
3
اپنے چیٹ بوٹ کے لیے ایک نام کی وضاحت کریں۔
4
بوٹ کے لیے یوزر نام کا انتخاب کریں۔
5
BotFather سے ایک مکمل آخری پیغام کاپی کریں اور اسے یہاں پیسٹ کریں۔
×
×