کتابوں کی تلاش
کتاب
عطیہ کریں
سائن ان کریں
سائن ان کریں
مزید فیچرز تک رسائی حاصل کرنے کے لیے
پرسنل تجاویز
ٹیلیگرام بوٹ
ڈاؤن لوڈ کی تاریخ
ای میل یا Kindle پر بھیجیں
بک لسٹس کو مینج کریں
پسندیدہ میں محفوظ کریں
پرسنل
کتاب کی درخواستیں
دریافت
Z-Recommend
بُک لسٹ
سب سے مشہور
سب زمرہ
شراکت
عطیہ کریں
اپ لوڈ
Litera Library
کاغذی کتابیں عطیہ کریں۔
کاغذی کتابیں شامل کریں۔
Search paper books
میرا LITERA Point
اصطلاحات کی تلاش
Main
اصطلاحات کی تلاش
search
1
Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si
Филатов Д.О.
,
Исаков М.А.
,
Круглова М.В.
gesi
островков
рис
роста
phys
наноостровков
методом
области
слоя
носителей
основе
поверхности
наноостровками
состояний
спектра
энергии
островках
фпэ
дырок
млэ
appl
гетероструктур
структур
электронов
подложки
dge
geh4
островки
типа
плотность
спектров
структуры
связи
островками
шоттки
зависимость
поглощения
процессе
gexsi1
проводимости
барьера
гфэ
зависимости
переходов
спектры
дислокаций
зоне
оптических
островка
слое
زبان:
russian
فائل:
PDF, 3.79 MB
آپ کے ٹیگز:
0
/
0
russian
2
Инсулин и радиация
Издательский дом "Белорусская наука"
Гацко Г.Г.
,
Милевич Т.И.
облучения
инсулина
крыс
мес
крови
животных
железы
поджелудочной
глюкозы
дозе
облученных
клеток
сут
содержание
организма
введения
гормона
стрептозотоцина
воздействия
инсулин
облучение
уровня
интактные
изменения
островков
стрептозотоцин
облученные
сроки
сутки
ммоль
функции
лучевой
островках
уровень
влияние
диабета
печени
эффект
контроль
ткани
концентрации
концентрация
лучевого
организме
состояние
действия
радиации
снижение
активности
секреции
سال:
2014
زبان:
russian
فائل:
PDF, 1.20 MB
آپ کے ٹیگز:
0
/
0
russian, 2014
3
Рост Ge(Si) самоформирующихся наноотростков на подложках Si(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии
Лобанов Д.Н.
,
Новиков А.В.
,
Шалеев М.В.
роста
островков
поверхности
напряжений
упругих
пленки
энергии
происходит
рис
подложки
счет
островка
приводит
температуры
поверхностной
материала
островки
камеры
релаксация
релаксации
димеров
крастанова
механизму
странского
температурах
увеличение
образование
осаждения
системы
слоя
уменьшению
носителей
образования
параметров
пленке
результате
gexsi1
зависимости
заряда
самоформирующихся
структур
типа
увеличением
уменьшение
gesi
атомов
дивакансий
количества
островках
плотности
زبان:
russian
فائل:
PDF, 421 KB
آپ کے ٹیگز:
0
/
0
russian
1
اس لنک
کو کلک کریں یا Telegram پر "BotFather@" بوٹ تلاش کریں۔
2
/newbot کمانڈ بھیجیں۔
3
اپنے چیٹ بوٹ کے لیے ایک نام کی وضاحت کریں۔
4
بوٹ کے لیے یوزر نام کا انتخاب کریں۔
5
BotFather سے ایک مکمل آخری پیغام کاپی کریں اور اسے یہاں پیسٹ کریں۔
×
×